Производители памяти не должны отставать от всего сегмента полупроводников, который уже несколько десятилетий развивается по так называемому Закону Мура. Он обязывает производителей регулярно увеличивать плотность размещения транзисторов на кристалле микросхемы. В случае с видеочипами и процессорами это позволяет повысить быстродействие, а в случае с микросхемами памяти - преимущественно повысить объём и снизить себестоимость производства. Компания Samsung на этой неделе сообщила, что начала массовое производство микросхем памяти типа DDR3 с пониженным энергопотреблением по техпроцессу класса 30 нм. Собственно говоря, это ещё не означает, что Samsung освоила непосредственно 30 нм техпроцесс, речь пока идёт о количестве нанометров из диапазона "30-39".
На данный момент освоен выпуск микросхем DDR3 плотностью 2 Гбита, на их основе можно создавать модули памяти типа DDR3-1866 с номинальным напряжением 1.35 В или модули памяти типа DDR3-2133 с номинальным напряжением 1.5 В. Первые найдут применение в серверах, вторые - в настольных системах. К концу года Samsung планирует наладить выпуск микросхем плотностью 4 Гбита, которые увеличат объём одного регистрового модуля DDR3 до 32 Гб, а объём модулей памяти для настольных компьютеров и ноутбуков возрастёт до 8 Гб.
